การติดตั้งส่วนประกอบแผงวงจรพิมพ์ป้องกันการเสียรูป

1. ในการติดตั้งเฟรมเสริมและ PCBA กระบวนการติดตั้ง PCBA และแชสซี การใช้ PCBA ที่บิดเบี้ยวหรือการติดตั้งเฟรมเสริมแรงแบบบิดเบี้ยวของการติดตั้งโดยตรงหรือแบบบังคับและการติดตั้ง PCBA ในแชสซีที่มีรูปร่างผิดปกติความเครียดในการติดตั้งทำให้เกิดความเสียหายและการแตกหักของสายส่วนประกอบ (โดยเฉพาะอย่างยิ่ง IC ความหนาแน่นสูง เช่น BGS และส่วนประกอบที่ยึดบนพื้นผิว) รูรีเลย์ของ PCB หลายชั้น และสายเชื่อมต่อภายในและแผ่นของ PCB หลายชั้นหากการบิดเบี้ยวไม่เป็นไปตามข้อกำหนดของ PCBA หรือโครงเสริมแรง ผู้ออกแบบควรร่วมมือกับช่างเทคนิคก่อนทำการติดตั้งในส่วนโค้ง (บิด) เพื่อใช้หรือออกแบบมาตรการ "แพด" ที่มีประสิทธิภาพ

2. การวิเคราะห์

ก.ในบรรดาส่วนประกอบตัวเก็บประจุของชิป ความน่าจะเป็นของข้อบกพร่องในตัวเก็บประจุชิปเซรามิกนั้นสูงที่สุด โดยส่วนใหญ่เป็นดังต่อไปนี้

ข.การโค้งงอของ PCBA และการเสียรูปที่เกิดจากความเครียดในการติดตั้งมัดสายไฟ

ค.ความเรียบของ PCBA หลังจากการบัดกรีมากกว่า 0.75%

ง.การออกแบบแผ่นอิเล็กโทรดที่ไม่สมมาตรที่ปลายทั้งสองข้างของตัวเก็บประจุชิปเซรามิก

จ.แผ่นอรรถประโยชน์ที่มีเวลาในการบัดกรีมากกว่า 2 วินาที อุณหภูมิในการบัดกรีสูงกว่า 245°C และเวลาในการบัดกรีรวมเกินค่าที่ระบุ 6 เท่า

ฉ.ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนที่แตกต่างกันระหว่างตัวเก็บประจุชิปเซรามิกและวัสดุ PCB

ก.การออกแบบ PCB ที่มีรูยึดและตัวเก็บประจุชิปเซรามิกอยู่ใกล้กันมากเกินไปทำให้เกิดความเครียดเมื่อทำการยึด ฯลฯ

ชม.แม้ว่าตัวเก็บประจุชิปเซรามิกจะมีขนาดแผ่นเท่ากันบน PCB หากปริมาณการบัดกรีมากเกินไป มันจะเพิ่มความเค้นดึงบนตัวเก็บประจุชิปเมื่อ PCB งอปริมาณบัดกรีที่ถูกต้องควรเป็น 1/2 ถึง 2/3 ของความสูงของปลายบัดกรีของตัวเก็บประจุชิป

ฉัน.ความเครียดทางกลหรือความร้อนภายนอกจะทำให้เกิดรอยแตกในตัวเก็บประจุชิปเซรามิก

• รอยแตกที่เกิดจากการอัดขึ้นรูปของหัวยึดและหัวยึดจะปรากฏขึ้นบนพื้นผิวของส่วนประกอบ โดยปกติจะเป็นรอยแตกรูปทรงกลมหรือพระจันทร์ครึ่งเสี้ยวที่มีการเปลี่ยนสี ในหรือใกล้ศูนย์กลางของตัวเก็บประจุ
• รอยแตกที่เกิดจากการตั้งค่าที่ไม่ถูกต้องของเลือกและวางเครื่องพารามิเตอร์หัวหยิบและวางของตัวยึดใช้ท่อดูดสุญญากาศหรือแคลมป์ตรงกลางเพื่อวางตำแหน่งส่วนประกอบ และแรงกดลงแกน Z ที่มากเกินไปอาจทำให้ส่วนประกอบเซรามิกแตกได้หากใช้แรงมากพอกับหัวหยิบและวางที่ตำแหน่งอื่นนอกเหนือจากบริเวณศูนย์กลางของตัวเซรามิก ความเค้นที่ใช้กับตัวเก็บประจุอาจมีขนาดใหญ่พอที่จะทำให้ส่วนประกอบเสียหายได้
• การเลือกขนาดหัวจับเศษและหัววางที่ไม่เหมาะสมอาจทำให้เกิดการแตกร้าวได้หัวเลือกและวางเส้นผ่านศูนย์กลางขนาดเล็กจะเน้นแรงในการวางตำแหน่งระหว่างการวางตำแหน่ง ทำให้พื้นที่ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกที่มีขนาดเล็กกว่าต้องได้รับความเครียดมากขึ้น ส่งผลให้ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกแตกร้าว
• ปริมาณโลหะบัดกรีที่ไม่เท่ากันจะทำให้เกิดการกระจายความเค้นที่ไม่สอดคล้องกันบนส่วนประกอบ และที่ปลายด้านหนึ่งจะทำให้เกิดความเค้นที่ความเข้มข้นและการแตกร้าว
• สาเหตุของการแตกร้าวคือความพรุนและรอยแตกระหว่างชั้นของตัวเก็บประจุชิปเซรามิกและชิปเซรามิก

3. มาตรการแก้ไข

เสริมสร้างการคัดกรองตัวเก็บประจุชิปเซรามิก: ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกได้รับการคัดกรองด้วยกล้องจุลทรรศน์อะคูสติกแบบสแกนชนิด C (C-SAM) และกล้องจุลทรรศน์อะคูสติกแบบเลเซอร์สแกน (SLAM) ซึ่งสามารถคัดกรองตัวเก็บประจุเซรามิกที่ชำรุดออกได้